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IRFR/U18N15DPbF
10000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
20
I D = 11A
1000
Ciss = Cgs + Cgd , Cds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
SHORTED
16
V DS = 120V
V DS = 75V
V DS = 30V
12
Coss
100
8
Crss
4
10
1
10             100
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
1000
0
0
10
20
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
30         40
Q G , Total Gate Charge (nC)
T J = 175 C
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
10
°
1000
100
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10us
1
T J = 25 ° C
10
100us
0.1
0.2
0.5
0.8
V GS = 0 V
1.1        1.4
1
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
100
1ms
10ms
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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